MOSFET Siliconix G47N60EF de canal N, 600 V, 47 A (Tc), alta potencia, orificio pasante TO-247AC
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MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de energía
Actualice sus sistemas de control de potencia con el MOSFET G47N60EF de Siliconix. Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones industriales. Con un voltaje de drenaje a fuente de 600 V y una corriente de drenaje continua de 47 A (Tc), proporciona capacidades de manejo de potencia robustas.
Siliconix G47N60EF - Control de potencia eficiente
Con tecnología MOSFET avanzada, el G47N60EF garantiza un control de potencia eficiente con una baja resistencia de encendido (Rds On) de 67 mOhm a 24 A, 10 V. Su carga de compuerta (Qg) de 225 nC a 10 V permite una conmutación rápida, optimizando el rendimiento del sistema. El MOSFET funciona dentro de un amplio rango de temperaturas de -55 °C a 150 °C (TJ), lo que lo hace adecuado para entornos desafiantes.
Tabla de características técnicas del MOSFET G47N60EF:
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Tipo FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (Óxido Metálico) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C | 47A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) | 10 V |
| Rds activado (máximo) @ Id, Vgs | 67 mOhm a 24 A, 10 V |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id | 4 V a 250 µA |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs | 225 nC a 10 V |
| Vgs (máximo) | ±30 V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds | 4854pF a 100 V |
| Disipación de potencia (máxima) | 379 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | A través del agujero |
| Paquete / Caja | TO-247-3 |
| Número de producto base | SIHG47 |
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