MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de energía

Actualice sus sistemas de control de energía con el MOSFET Vishay Siliconix G47N60EF. Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones industriales. Con un voltaje de drenaje a fuente de 600 V y una corriente de drenaje continua de 47 A (Tc), proporciona capacidades sólidas de manejo de energía.

Vishay Siliconix G47N60EF - Control de potencia eficiente

Con tecnología MOSFET avanzada, el G47N60EF garantiza un control de energía eficiente con baja resistencia de encendido (Rds On) de 67 mOhm @ 24 A, 10 V. Su carga de puerta (Qg) de 225 nC a 10 V permite una conmutación rápida, optimizando el rendimiento del sistema. El MOSFET opera dentro de un amplio rango de temperatura de -55°C a 150°C (TJ), lo que lo hace adecuado para entornos desafiantes.

El G47N60EF está empaquetado en un paquete confiable TO-247AC de orificio pasante, lo que permite un montaje seguro y una disipación térmica. Con su alta disipación de potencia de 379 W (Tc), ofrece confiabilidad y rendimiento excepcionales en aplicaciones de electrónica de potencia.

Tabla de Características Técnicas: