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  • Siliconix G47N60EF MOSFET N-Channel 600V 47A (Tc) High Power Through Hole TO-247AC
  • G47N60EF MOSFET N-Channel 600V 47A (Tc) High Power Through Hole
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MOSFET Siliconix G47N60EF de canal N, 600 V, 47 A (Tc), alta potencia, orificio pasante TO-247AC

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MOSFET de canal N de alto rendimiento para aplicaciones de energía

Actualice sus sistemas de control de potencia con el MOSFET G47N60EF de Siliconix. Este MOSFET de canal N de alto rendimiento está diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones industriales. Con un voltaje de drenaje a fuente de 600 V y una corriente de drenaje continua de 47 A (Tc), proporciona capacidades de manejo de potencia robustas.

Siliconix G47N60EF - Control de potencia eficiente

Con tecnología MOSFET avanzada, el G47N60EF garantiza un control de potencia eficiente con una baja resistencia de encendido (Rds On) de 67 mOhm a 24 A, 10 V. Su carga de compuerta (Qg) de 225 nC a 10 V permite una conmutación rápida, optimizando el rendimiento del sistema. El MOSFET funciona dentro de un amplio rango de temperaturas de -55 °C a 150 °C (TJ), lo que lo hace adecuado para entornos desafiantes.


Tabla de características técnicas del MOSFET G47N60EF:

Característica Especificación
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Óxido Metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C 47A (Tc)
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado) 10 V
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs 67 mOhm a 24 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs 225 nC a 10 V
Vgs (máximo) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds 4854pF a 100 V
Disipación de potencia (máxima) 379 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje A través del agujero
Paquete / Caja TO-247-3
Número de producto base SIHG47


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