WMJ36N65F2 Paquete SJ-MOS F2 TO-247 de canal N de alto rendimiento de 650 V
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About the Product
Actualice su electrónica de potencia con WMJ36N65F2: un diodo SJ-MOS F2 de canal N de 650 V con cuerpo Swift
Calidad superior y entrega rápida: WMJ36N65F2 disponible ahora
Actualice su electrónica de potencia con el WMJ36N65F2, un SJ-MOS F2 de canal N de 650 V de última generación en encapsulado TO-247. Este MOSFET de superunión de segunda generación cuenta con un diodo de cuerpo rápido, que permite una conmutación rápida con facilidad. Nuestro stock está listo para entrega inmediata y garantizamos una calidad de primera.
Parámetros del producto WMJ36N65F2:
- VDS (V): 650
- RDS(activado) (Ω) @VGS=10V(máx.): 0,105
- Identificación (A) @TA=25℃: 36
- PD(W) a temperatura ambiente = 25 °C: 277
- VGS (V): 30
- VGS(th) (V) (Típ.): 4
Características del modelo WMJ36N65F2:
- VDS=700 V a Tj,máx.
- RD típico (activado) = 0,087 Ω
- 100% probado por UIS
- Recubrimiento libre de plomo y libre de halógenos
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