Actualice su electrónica de potencia con WMJ36N65F2: un SJ-MOS F2 de canal N de 650 V con diodo de cuerpo Swift

Calidad de primer nivel y entrega rápida: WMJ36N65F2 en stock ahora

Actualice su electrónica de potencia con el WMJ36N65F2, un SJ-MOS F2 de canal N de 650 V de última generación en el paquete TO-247. Este MOSFET de superunión de segunda generación cuenta con un diodo de cuerpo rápido, que permite una conmutación rápida y sencilla. Nuestro stock está listo para entrega inmediata y garantizamos una calidad de primer nivel.

Parametros del producto:

• VDS (V): 650
• RDS(encendido) (Ω) @VGS=10V(máx.): 0,105
• Identificación (A) @TA=25℃: 36
• PD (W) @TA=25°C: 277
• VGS (V): 30
• VGS(th) (V) (Típ.): 4

Características:

• VDS=700V @Tj,máx.
• Tipo RD (encendido) = 0,087 Ω
• 100% probado por UIS
• Revestimiento sin Pb, sin halógenos