WMJ53N65F2 MOSFET de unión de diodo de canal N de 650 V
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WMJ53N65F2 - MOSFET de unión de diodo de canal N de 650 V de alta calidad para electrónica de potencia
Mejore el rendimiento de sus componentes electrónicos de potencia con el WMJ53N65F2, un MOSFET de unión de diodos de canal N de 650 V de alta calidad. Este MOSFET ofrece capacidades de conmutación rápidas y un rendimiento confiable, lo que lo convierte en una excelente opción para aplicaciones de potencia exigentes. Con su encapsulado TO-247 , proporciona un formato familiar que es fácil de integrar en sistemas existentes.
Actualice su electrónica de potencia con el MOSFET WMJ53N65F2
El WMJ53N65F2 cuenta con impresionantes especificaciones , incluyendo un VDS (voltaje de drenaje-fuente) de 650 V, lo que garantiza un funcionamiento robusto en entornos de alto voltaje. Con un RDS(on) (resistencia de encendido) de 0,078 Ω a VGS=10 V (máx.), minimiza la pérdida de potencia y mejora la eficiencia general. La ID (corriente de drenaje continua) de 50 A a TA=25 ℃ permite manejar cargas de potencia significativas, mientras que la PD (disipación de potencia) de 350 W a TA=25 ℃ garantiza una disipación de calor eficiente.
Conmutación rápida y rendimiento confiable: MOSFET de unión de diodo de canal N WMJ53N65F2 de 650 V
| Característica | Valor |
|---|---|
| VDS (V) | 650 |
| RDS(activado) (Ω) | 0,078 @VGS=10V (máx.) |
| Identificación (A) | 50 a temperatura ambiente = 25 ℃ |
| PD (W) | 350 a temperatura ambiente = 25 ℃ |
| VGS (V) | 30 |
| VGS(ésimo) (V) | 3 (típico) |
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