WMJ53N65F2 - MOSFET de unión de diodos de canal N de alta calidad de 650 V para electrónica de potencia

Mejore el rendimiento de su electrónica de potencia con el WMJ53N65F2, un MOSFET de unión de diodos de canal N de 650 V de alta calidad. Este MOSFET ofrece capacidades de conmutación rápida y un rendimiento confiable, lo que lo convierte en una excelente opción para aplicaciones de energía exigentes. Con su paquete TO-247 , proporciona un formato familiar que es fácil de integrar en los sistemas existentes.

Actualice su electrónica de potencia con el MOSFET WMJ53N65F2

El WMJ53N65F2 cuenta con especificaciones impresionantes , incluido un VDS (voltaje de fuente de drenaje) de 650 V, lo que garantiza un funcionamiento robusto en entornos de alto voltaje. Con un RDS(encendido) (resistencia encendida) de 0,078Ω @VGS=10V (máx.), minimiza la pérdida de energía y mejora la eficiencia general. La ID (corriente de drenaje continua) de 50 A @TA=25 ℃ permite manejar cargas de energía significativas, mientras que la PD (disipación de potencia) de 350 W @TA=25 ℃ garantiza una disipación de calor eficiente.

Conmutación rápida y rendimiento confiable: MOSFET de unión de diodos de canal N WMJ53N65F2 de 650 V

Con un VGS (voltaje de puerta-fuente) de 30 V y un VGS(th) (voltaje umbral de puerta-fuente) de típicamente 3 V, el WMJ53N65F2 proporciona un control preciso sobre la operación de conmutación. También se somete a pruebas 100% UIS (conmutación inductiva sin sujeción) para garantizar su confiabilidad.

Con su revestimiento libre de Pb y su composición libre de halógenos, el WMJ53N65F2 promueve la sostenibilidad ambiental al tiempo que ofrece un rendimiento excepcional.

Actualice sus componentes electrónicos de potencia con confianza utilizando el MOSFET WMJ53N65F2 y experimente una conmutación rápida, un rendimiento confiable y una calidad excepcional.

Características técnicas: