WMJ53N65F2 MOSFET de unión de diodo de canal N de alta calidad de 650 V

WMJ53N65F2 - MOSFET de unión de diodo de canal N de 650 V de alta calidad para electrónica de potencia

Mejore el rendimiento de sus componentes electrónicos de potencia con el WMJ53N65F2, un MOSFET de unión de diodos de canal N de 650 V de alta calidad. Este MOSFET ofrece capacidades de conmutación rápidas y un rendimiento confiable, lo que lo convierte en una excelente opción para aplicaciones de potencia exigentes. Con su encapsulado TO-247 , proporciona un formato familiar que es fácil de integrar en sistemas existentes.

Actualice su electrónica de potencia con el MOSFET WMJ53N65F2

El WMJ53N65F2 cuenta con impresionantes especificaciones , incluyendo un VDS (voltaje de drenaje-fuente) de 650 V, lo que garantiza un funcionamiento robusto en entornos de alto voltaje. Con un RDS(on) (resistencia de encendido) de 0,078 Ω a VGS=10 V (máx.), minimiza la pérdida de potencia y mejora la eficiencia general. La ID (corriente de drenaje continua) de 50 A a TA=25 ℃ permite manejar cargas de potencia significativas, mientras que la PD (disipación de potencia) de 350 W a TA=25 ℃ garantiza una disipación de calor eficiente.

Conmutación rápida y rendimiento confiable: MOSFET de unión de diodo de canal N WMJ53N65F2 de 650 V