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  • C3D10065A Silicon Carbide Schottky Diode
  • C3D10065A 3rd Generation 650V 10A Silicon Carbide Schottky Diode
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Diodo Schottky de carburo de silicio C3D10065A de tercera generación 650V 10A

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Mayor eficiencia y densidad de potencia con el diodo Schottky de carburo de silicio C3D10065A

Presentamos el C3D10065A, un diodo Schottky de carburo de silicio de 650 V y 10 A de tercera generación . Este diodo avanzado aprovecha las ventajas de rendimiento de la tecnología de carburo de silicio (SiC) para superar los estándares de eficiencia establecidos por las soluciones tradicionales basadas en silicio. Con sus características superiores, permite frecuencias más altas, mayor densidad de potencia y menores costos generales del sistema en una amplia gama de aplicaciones.

Diodo Schottky de 650 V y 10 A, confiable y eficiente para diversas aplicaciones

El C3D10065A presenta una baja caída de voltaje directo (VF) y un coeficiente de temperatura positivo, lo que garantiza una transferencia de energía eficiente y minimiza las pérdidas de energía. Su corriente de recuperación inversa y voltaje directo de recuperación cero contribuyen a mejorar el rendimiento de conmutación y reducir las pérdidas de conmutación.

Aplicaciones:

  • Fuentes de alimentación conmutadas industriales
  • Sistemas de alimentación ininterrumpida y auxiliares
  • Corrección del factor de potencia (PFC) y aumento de la etapa CC-CC
  • Inversores solares

C3D10065A Características técnicas:

Característica Detalles
Tipo de diodo Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC)
Clasificación de voltaje 650 V
Calificación actual 10A
Caída de tensión directa (VF) Bajo
Coeficiente de temperatura Positivo
Corriente de recuperación inversa Cero
Voltaje de recuperación hacia adelante Cero
Comportamiento de conmutación Independiente de la temperatura
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