Mayor eficiencia y densidad de potencia con diodo Schottky de carburo de silicio C3D10065A

Presentamos el C3D10065A, un diodo Schottky de carburo de silicio de 650 V y 10 A de tercera generación . Este diodo avanzado aprovecha las ventajas de rendimiento de la tecnología de carburo de silicio (SiC) para superar los estándares de eficiencia establecidos por las soluciones tradicionales basadas en silicio. Con sus características superiores, permite frecuencias más altas, mayor densidad de potencia y menores costos generales del sistema en una amplia gama de aplicaciones.

Diodo Schottky confiable y eficiente de 650 V 10 A para diversas aplicaciones

El C3D10065A presenta una baja caída de voltaje directo (VF) y un coeficiente de temperatura positivo, lo que garantiza una transferencia de energía eficiente y minimiza las pérdidas de energía. Su corriente de recuperación inversa cero y su voltaje de recuperación directa contribuyen a mejorar el rendimiento de conmutación y reducir las pérdidas de conmutación. El comportamiento de conmutación independiente de la temperatura garantiza un funcionamiento constante y fiable en diversas condiciones de funcionamiento.

Aplicaciones:

• Fuentes de alimentación industriales conmutadas
• Fuentes de alimentación ininterrumpida y auxiliares.
• Corrección del factor de potencia (PFC) y refuerzo de etapa CC-CC
• Inversores solares

Características técnicas: