Diodo Schottky de carburo de silicio C3D10065A de tercera generación 650V 10A
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Mayor eficiencia y densidad de potencia con el diodo Schottky de carburo de silicio C3D10065A
Presentamos el C3D10065A, un diodo Schottky de carburo de silicio de tercera generación de 650 V y 10 A. Este avanzado diodo aprovecha las ventajas de rendimiento de la tecnología de carburo de silicio (SiC) para superar los estándares de eficiencia de las soluciones tradicionales basadas en silicio. Gracias a sus características superiores, permite frecuencias más altas, mayor densidad de potencia y menores costos generales del sistema en una amplia gama de aplicaciones.
Diodo Schottky de 650 V y 10 A, confiable y eficiente para diversas aplicaciones
El C3D10065A presenta una baja caída de tensión directa (VF) y un coeficiente de temperatura positivo, lo que garantiza una transferencia de potencia eficiente y minimiza las pérdidas de potencia. Su corriente de recuperación inversa y tensión de recuperación directa nulas contribuyen a un mejor rendimiento de conmutación y a una reducción de las pérdidas de conmutación.
Aplicaciones:
- Fuentes de alimentación conmutadas industriales
- Sistemas de alimentación ininterrumpida y auxiliares
- Corrección del factor de potencia (PFC) y refuerzo de la etapa CC-CC
- Inversores solares
C3D10065A Características técnicas:
| Característica | Detalles |
|---|---|
| Tipo de diodo | Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) |
| Clasificación de voltaje | 650 V |
| Calificación actual | 10A |
| Caída de tensión directa (VF) | Bajo |
| Coeficiente de temperatura | Positivo |
| Corriente de recuperación inversa | Cero |
| Voltaje de recuperación directa | Cero |
| Comportamiento de cambio | Independiente de la temperatura |
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