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  • FQP30N06 N-Channel MOSFET 60V 30A 79W Through Hole TO-220-3 for Power Supply
  • FQP30N06 N-Channel MOSFET 60V 30A 79W Through Hole
  • Efficient Power Supply Transistor - Low Rds On, 25nC Gate Charge, Metal Oxide Technology
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FQP30N06 MOSFET de canal N 60V 30A 79W Orificio pasante TO-220-3 para fuente de alimentación

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Actualice su fuente de alimentación con el MOSFET de canal N de alto rendimiento FQP30N06

Mejore el rendimiento de su fuente de alimentación con el potente MOSFET de canal N FQP30N06. Con un voltaje de drenaje a fuente de hasta 60 V y una corriente de drenaje continua de 30 A, este MOSFET está diseñado para manejar aplicaciones de suministro de energía exigentes.

Eficiencia y rendimiento óptimos con MOSFET FQP30N06 para fuentes de alimentación

El MOSFET FQP30N06 cuenta con tecnología de óxido metálico y una capacitancia de entrada de 945 pF, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alto voltaje. Con una Rds On máxima de 40 mOhm y una carga de compuerta de 25 nC, ofrece una eficiencia óptima incluso en condiciones de carga pesada. El FET de canal N está alojado en un encapsulado TO-220-3 , lo que permite una fácil instalación mediante tecnología de orificio pasante.

Características técnicas del MOSFET de canal N FQP30N06:

Categoría
Productos semiconductores discretos
Transistores - FET, MOSFET - Sencillos
Paquete
Tubo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Voltaje de la unidad (Rds máx. activado, Rds mín. activado)
10 V
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs
40 mOhm a 15 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id
4 V a 250 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) a Vgs
25 nC a 10 V
Vgs (máximo)
±25 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds
945 pF a 25 V
Disipación de potencia (máxima)
79 W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje
A través del agujero
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FQP30
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