MOSFET OSG65R099HZ para fuente de alimentación de minero de criptomonedas

MOSFET de canal N OSG65R099HZ de 650 V para reparación de fuentes de alimentación de mineros de criptomonedas

El OSG65R099HZ es un MOSFET de canal N de alto voltaje en un encapsulado de montaje insertado SOT-247 (TO-247), diseñado para aplicaciones de fuentes de alimentación que exigen una baja resistencia en conducción, bajas pérdidas por conmutación y un diodo de cuerpo ultrarrápido y robusto. Es uno de los MOSFET del lado primario que se encuentran en las etapas de corrección del factor de potencia y de conmutación principal de las fuentes de alimentación de mineros de criptomonedas.

Con una clasificación Vdss de 650 V, una corriente de drenaje de 53 A y una Rds(on) máxima de 0,069 Ω (típica de 0,06 Ω), ofrece estabilidad y uniformidad en todo el rango de temperatura de funcionamiento, desde -45 °C hasta +125 °C, soportando la alta exigencia térmica de las fuentes de alimentación de minería ASIC.

Especificaciones

Ubicación del OSG65R099HZ en una fuente de alimentación

Dentro de una fuente de alimentación para minería ASIC, se utiliza un MOSFET de potencia de canal N de 650 V como el OSG65R099HZ ya sea como el MOSFET de conmutación PFC (que acciona el inductor boost aguas abajo del puente rectificador) o como un interruptor del lado primario en la etapa principal de CC-CC. El fallo suele manifestarse como un fusible de entrada fundido, una etapa PFC en cortocircuito o una fuente de alimentación inactiva que no puede arrancar a pesar de tener un condensador principal en buen estado.

Compatibilidad

Reemplazo directo para el zócalo TO-247 del OSG65R099HZ en las etapas PFC y de conmutación principal de las fuentes de alimentación de mineros ASIC. La misma clase de 650 V se comparte con otros MOSFET de superunión como el NCE65TF130D; verifique la asignación de pines y la clasificación de corriente antes de sustituirlo. Después del reemplazo, inspeccione los CI de control de compuerta aguas arriba, las resistencias de compuerta y los diodos de libre circulación para detectar daños colaterales.

Síntomas comunes de fallo

• El fusible de entrada se funde inmediatamente al conectar a CA: el drenaje del MOSFET PFC está en cortocircuito con la fuente
• La fuente de alimentación no genera un bus de alto voltaje a pesar de tener un puente rectificador y un condensador principal en buen estado
• Quemaduras o grietas visibles en la carcasa TO-247
• CI controlador de compuerta dañado porque la compuerta del MOSFET está en cortocircuito
• El riel principal se activa, pero la fuente de alimentación no puede mantener la carga máxima: Rds(on) degradada tras un evento térmico

Preguntas frecuentes

¿El OSG65R099HZ es un MOSFET de superunión?

Es un MOSFET de canal N de alto voltaje de 650 V con baja Rds(on) y un diodo de cuerpo ultrarrápido y robusto, características típicas de las familias de superunión utilizadas en las etapas PFC de las fuentes de alimentación ASIC.

¿Puedo usarlo en un diseño de 600 V?

Sí, la clasificación de 650 V ofrece un margen sobre la clase de 600 V. Asegúrese de que el encapsulado, la asignación de pines y los niveles de accionamiento de compuerta coincidan con el zócalo original.

¿Qué más debo comprobar después de un fallo del MOSFET?

Inspeccione el CI controlador de compuerta, la red de resistencias de compuerta, la resistencia de detección y el inductor PFC antes de volver a encender la fuente de alimentación.

¿Tienen en stock controladores PFC y puentes rectificadores compatibles?

Sí, consulte NCP1654BD65R2G, 3PCS01 y GBU3008 / GBJ2508 en productos relacionados.

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