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  • IPW60R070C6 600V 53A N-Channel SJ MOSFET
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Paquete IPW60R070C6 60R070C6 600V 53A SJ MOSFET TO247 de canal N

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MOSFET SJ de canal N de alta eficiencia IPW60R070C6 de 600 V y 53 A

Presentamos el MOSFET SJ de canal N de 600 V y 53 A IPW60R070C6, un producto que combina la experiencia y la innovación de un proveedor líder en el campo. Este MOSFET ofrece un rendimiento excelente y, al mismo tiempo, es fácil de usar. Su diseño avanzado garantiza pérdidas de conmutación y conducción extremadamente bajas, lo que da como resultado aplicaciones de conmutación más eficientes, compactas, livianas y con menor temperatura.

Pérdidas muy bajas | Alta durabilidad de conmutación | Fácil de usar | Sin plomo ni halógenos

Con su factor de mérito (FOM) Rdson*Qg y Eoss muy bajos, este MOSFET minimiza las pérdidas y maximiza la eficiencia. También proporciona una gran durabilidad de conmutación, lo que garantiza un rendimiento confiable en aplicaciones exigentes. El IPW60R070C6 está diseñado para facilitar su uso y manejo, lo que lo hace accesible para varios diseños de circuitos.


IPW60R070C6 Características técnicas:

Característica técnica Especificación
Disipación máxima de potencia (Pd) 391 W
Voltaje máximo de drenaje-fuente 600 voltios
Voltaje máximo de compuerta-fuente 20 voltios
Tensión máxima de umbral de compuerta 3,5 V
Corriente máxima de drenaje (Id) 53 A
Temperatura máxima de unión 150 °C
Carga total de la puerta (Qg) 170 nC
Tiempo de subida (tr) 12nS
Capacitancia de drenaje-fuente (Cd) 215 pF
Resistencia máxima de drenaje-fuente en estado activo (Rds) 0,07 ohmios
Paquete TO247

Nota para clientes internacionales:

Este producto se envía desde China. Tenga en cuenta que su pedido puede estar sujeto a impuestos de importación, aranceles aduaneros y tasas del país de destino una vez recibido el envío. Estos cargos son responsabilidad del cliente y no están incluidos en el precio del producto ni en los gastos de envío. No podemos predecir el importe de estas tasas, ya que varían según el país.

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