SI4835DY MOSFET de canal P 30 V 8,8 A 1 W Montaje en superficie 8-SOIC

MOSFET de canal P SI4835DY de Fairchild Semiconductor

Mejore el rendimiento de sus dispositivos electrónicos con el MOSFET de canal P SI4835DY de Fairchild Semiconductor . Este MOSFET activo, con tecnología PowerTrench, está diseñado para optimizar el suministro de energía en diversas aplicaciones. Con un voltaje de drenaje a fuente (Vdss) máximo de 30 V y una corriente de drenaje continua (Id) de 8,8 A a 25 °C, este MOSFET ofrece resultados de energía confiables y eficientes .

Actualice su fuente de alimentación con el MOSFET de canal P SI4835DY de Fairchild Semiconductor

El MOSFET SI4835DY cuenta con una baja resistencia de encendido (Rds On) de 20 mOhm a 8,8 A y 10 V, lo que garantiza una pérdida de potencia mínima y un rendimiento mejorado . Tiene una carga de compuerta (Qg) de 27 nC a 10 V, lo que permite una conmutación rápida y reduce la disipación de potencia. El voltaje de compuerta máximo (Vgs) de ±25 V proporciona flexibilidad en el control de voltaje.

MOSFET PowerTrench Bulk eficiente para un rendimiento confiable

Con una capacidad de entrada (Ciss) de 1680 pF a 15 V, el SI4835DY ofrece capacidades de gestión de energía eficaces. Está empaquetado en un encapsulado masivo de 8 SOIC compacto , lo que lo hace adecuado para aplicaciones de montaje en superficie.

Características del MOSFET de canal P SI4835DY: