Ir directamente al contenido
Ir directamente a la información del producto
1 de 3

SI4835DY MOSFET de canal P 30 V 8,8 A 1 W Montaje en superficie 8-SOIC

$0.50 USD
$0.50 USD
Oferta Agotado
Los gastos de envío se calculan en la pantalla de pago.
Get Business Pricing

Detalles adicionales

Los gastos de envío se calcularán automáticamente durante el proceso de pago.

Comuníquese con nosotros a través del formulario de contacto para obtener más información y asistencia.

Secure checkout
SSL encryption & invoicing options
Worldwide shipping
Export-ready customs documentation
QC-tested spare parts
Specialized in ASIC miner hardware
Technical support
Assistance from mining engineers

Have questions about this product? Our team is here to help — just reach out on WhatsApp.

💬 Contact Us on WhatsApp

About the Product

MOSFET de canal P SI4835DY de Fairchild Semiconductor

Mejore el rendimiento de sus dispositivos electrónicos con el MOSFET de canal P SI4835DY de Fairchild Semiconductor . Este MOSFET activo, con tecnología PowerTrench, está diseñado para optimizar el suministro de energía en diversas aplicaciones. Con una tensión máxima de drenador a fuente (Vdss) de 30 V y una corriente de drenador continua (Id) de 8,8 A a 25 °C, este MOSFET ofrece resultados de potencia fiables y eficientes .

Actualice su fuente de alimentación con el MOSFET de canal P SI4835DY de Fairchild Semiconductor

El MOSFET SI4835DY presenta una baja resistencia de encendido (Rds On) de 20 mOhm a 8,8 A y 10 V, lo que garantiza una pérdida mínima de potencia y un rendimiento mejorado . Su carga de compuerta (Qg) es de 27 nC a 10 V, lo que permite una conmutación rápida y reduce la disipación de potencia. La tensión de compuerta máxima (Vgs) de ±25 V proporciona flexibilidad en el control de la tensión.

Características del MOSFET de canal P SI4835DY:

Categoría

Productos semiconductores discretos

Transistores

FET, MOSFET

FET individuales, MOSFET

Fabricante

Semiconductores Fairchild

Serie

PowerTrench®

Paquete

A granel

Estado del producto

Activo

Tipo FET

Canal P

Tecnología

MOSFET (Óxido metálico)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 voltios

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C

8.8A (Ta)

Voltaje de la unidad (máx. Rds activado, mín. Rds activado)

4,5 V, 10 V

Rds On (Máx.) @ Id, Vgs

20 mOhm a 8,8 A, 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id

3 V a 250 µA

Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs

27 nC a 10 V

Vgs (máx.)

± 25 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds

1680 pF a 15 V

Disipación de potencia (máx.)

1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55° C ~ 150 ° C (TJ)

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Paquete/Caja

8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)

Nota para clientes internacionales:

Este producto se envía desde China. Tenga en cuenta que su pedido puede estar sujeto a impuestos de importación, aranceles aduaneros y tasas del país de destino una vez recibido el envío. Estos cargos son responsabilidad del cliente y no están incluidos en el precio del producto ni en los gastos de envío. No podemos predecir el importe de estas tasas, ya que varían según el país.

Ver todos los detalles

Tienes preguntas?

Si desea obtener más información sobre nosotros y nuestros productos, ¡contáctenos!

Datos de contacto

LYS-SZ

+86 182 1872 0821