Transistor de RF SI7942DP-T1-GE3 - MOSFET de canal N doble de 100 V y 3,8 A para circuitos de alta frecuencia

MOSFET de canal N dual premium para aplicaciones de RF y conmutación

Mejora tus circuitos electrónicos con el Transistor RF original SI7942DP-T1-GE3 , un transistor de alto rendimiento MOSFET de canal N dual Diseñado para Aplicaciones de RF, circuitos amplificadores y conmutación de alta velocidad . Esto MOSFET de montaje superficial Ofrece una eficiencia excepcional con su Baja resistencia de encendido (49 mΩ) y velocidades de conmutación rápidas , lo que lo hace ideal para aplicaciones sensibles a la energía Donde el rendimiento importa.

MOSFET SI7942DP-T1-GE3 de alta velocidad: bajo RDS(on) y puerta de nivel lógico

✔ Rendimiento de alta frecuencia – Optimizado para Circuitos de RF y aplicaciones de conmutación arriba a 100 V/3,8 A
✔ Baja pérdida de potencia – 49 mΩ RDS(activado) Reduce la generación de calor y mejora la eficiencia energética
✔ Puerta de nivel lógico – Compatible con circuitos de control de bajo voltaje (Vgs(th) = 2V-4V)
✔ Diseño robusto – Opera en -55°C a +150°C entornos, garantizando la confiabilidad
✔ Montaje en superficie (paquete SO8) - Fácil ensamblaje automatizado de PCB y diseño compacto

Ideal para Amplificadores de RF, circuitos de gestión de energía y sistemas de conmutación de alta eficiencia . SI7942DP-T1-GE3 asegura pérdida mínima de señal y máximo rendimiento .

Tabla de especificaciones del MOSFET SI7942DP-T1-GE3: