Transistor de RF SI7942DP-T1-GE3 - MOSFET de doble canal N
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MOSFET de doble canal N SI7942DP-T1-GE3 | 100V 3.8A para conmutación de RF y alta frecuencia
El SI7942DP-T1-GE3 es un MOSFET de doble canal N original diseñado para circuitos amplificadores de RF, conmutación de alta velocidad y diseños de administración de energía. El compacto paquete SO8 de montaje superficial integra dos canales con una clasificación de 100V Vdss / 3.8A de corriente continua (5.9A pulsada), con 49mΩ RDS(on) a Vgs=10V para bajas pérdidas por conducción. Un umbral de compuerta de nivel lógico (Vgs(th) 2-4V) lo hace compatible con circuitos de control de bajo voltaje.
Esta pieza es la opción preferida cuando un diseño necesita dos interruptores de canal N limpios y bien emparejados en una sola huella: medios puentes síncronos, etapas push-pull, controladores de motor y bloques de administración de energía de RF. Con una temperatura de funcionamiento de -55 °C a +150 °C, es adecuado para uso industrial, automotriz y en electrónica de consumo.
MOSFET SI7942DP-T1-GE3 de alta velocidad — bajo RDS(on) y compuerta de nivel lógico
- Rendimiento de alta frecuencia — optimizado para circuitos de RF y aplicaciones de conmutación de hasta 100 V/3,8 A.
- Baja pérdida de potencia — 49 mΩ RDS(on) reduce la generación de calor y mejora la eficiencia energética.
- Compuerta de nivel lógico — compatible con circuitos de control de bajo voltaje (Vgs(th) 2V-4V).
- Diseño robusto — funciona de -55 °C a +150 °C para una mayor fiabilidad en todos los entornos.
- Paquete SO8 de montaje superficial — fácil ensamblaje automatizado de PCB en diseños compactos.
Casos de uso típicos para el SI7942DP
El factor de forma SO8 de doble canal es una opción común para los convertidores CC-CC síncronos y los controladores de medio puente, donde los MOSFETs emparejados en una huella térmica ajustada producen formas de onda de conmutación limpias a altas frecuencias. El SI7942DP también encaja perfectamente en bloques de gestión de energía de RF y etapas de salida de amplificadores de clase de audio donde un bajo Qg (24nC) mantiene las pérdidas de accionamiento manejables. Su envolvente de disipación de potencia de 1,4W establece el límite operativo en diseños de trabajo continuo.
Especificaciones del MOSFET SI7942DP-T1-GE3
| Característica | Especificación |
|---|---|
| Modelo | SI7942DP-T1-GE3 |
| Tipo | MOSFET de doble canal N |
| Voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente (Id) | 3.8A (5.9A pulsada) |
| RDS(on) | 49mΩ @ 10V |
| Carga de compuerta (Qg) | 24nC |
| Umbral de compuerta (Vgs(th)) | 2V-4V |
| Disipación de potencia | 1.4W |
| Tipo de montaje | Montaje superficial (SO8) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a +150°C |
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