TP65H035G4WS 650V FET de nitruro de galio (GaN) de alto rendimiento

TP65H035G4WS 650V GaN FET: diseño de vanguardia para un alto rendimiento

El TP65H035G4WS es un transistor de efecto de campo GaN de 650 V y 35 mΩ de última generación que combina MOSFET de silicio de bajo voltaje con HEMT de GaN de alto voltaje de última generación para ofrecer una confiabilidad y un rendimiento excepcionales. Este dispositivo, que utiliza técnicas de diseño patentadas y epitaxia avanzadas, simplifica la fabricación y aumenta la eficiencia del silicio al reducir la carga de compuerta, la capacitancia de salida, la pérdida de cruce y la carga de recuperación inversa.

Características, beneficios y aplicaciones clave del modelo TP65H035G4WS

El TP65H035G4WS cumple con la normativa JEDEC y cuenta con pruebas de producción dinámicas RDS(on)eff, lo que garantiza un rendimiento óptimo para aplicaciones exigentes. Su diseño robusto, impulsado por un amplio margen de seguridad en la puerta y capacidad de sobretensión transitoria, garantiza que pueda soportar incluso los entornos más desafiantes.

Características principales:

• Tecnología GaN compatible con JEDEC
• Prueba de producción dinámica RDS(on)eff
• Diseño robusto con amplio margen de seguridad en la puerta y capacidad de soportar sobretensiones transitorias
• Capacidad mejorada de sobrecorriente
• QRR muy bajo
• Pérdida de cruce reducida

Beneficios:

• Admite diseño de PFC Totem-Pole sin puente CA-CC, lo que aumenta la densidad de potencia y reduce el tamaño y el peso del sistema
• Mejora la eficiencia de los circuitos de conmutación dura y suave
• Fácil de manejar con controladores de puerta de uso común
• La disposición de pines GSD mejora los diseños de alta velocidad

Aplicaciones:

• Comunicación de datos
• Amplia gama de industrias
• Inversores fotovoltaicos
• Servomotor