TP65H035G4WS 650V GaN FET: diseño de vanguardia para un alto rendimiento

El TP65H035G4WS es un FET GaN de 650 V y 35 mΩ de última generación que combina MOSFET de silicio de bajo voltaje con HEMT GaN de alto voltaje de última generación para brindar confiabilidad y rendimiento excepcionales. Utilizando epitaxia avanzada y técnicas de diseño patentadas, este dispositivo simplifica la capacidad de fabricación y aumenta la eficiencia del silicio al reducir la carga de la puerta, la capacitancia de salida, la pérdida de cruce y la carga de recuperación inversa.

Funciones, beneficios y aplicaciones clave

El TP65H035G4WS cumple con JEDEC y presenta pruebas de producción dinámicas RDS(on)eff, lo que garantiza un rendimiento óptimo para aplicaciones exigentes. Su diseño robusto, impulsado por un amplio margen de seguridad de la puerta y capacidad de sobretensión transitoria, garantiza que pueda soportar incluso los entornos más desafiantes. Además, el TP65H035G4WS cuenta con una capacidad de sobrecorriente mejorada, un QRR muy bajo y una pérdida de cruce reducida, lo que lo convierte en una opción ideal para diseños PFC de tótem sin puente AC-DC, lo que mejora la eficiencia del sistema y reduce el tamaño, el peso y el costo totales.

Características clave:

• Tecnología GaN compatible con JEDEC
• Prueba de producción dinámica RDS(on)eff
• Diseño robusto con amplio margen de seguridad en la puerta y capacidad de sobretensión transitoria
• Capacidad mejorada de sobrecorriente
• QRR muy bajo
• Pérdida de cruce reducida

Beneficios:

• Admite el diseño PFC de tótem sin puente AC-DC, lo que aumenta la densidad de energía y reduce el tamaño y el peso del sistema
• Mejora la eficiencia de los circuitos de conmutación dura y suave
• Fácil de conducir con controladores de puertas de uso común
• El diseño de pines GSD mejora los diseños de alta velocidad

Aplicaciones:

• Comunicación de datos
• Amplia gama de industrias
• Inversores Fotovoltaicos
• Servo motor