TP65H035G4WS 650V FET de nitruro de galio (GaN) de alto rendimiento

TP65H035G4WS 650V GaN FET – Conmutación de alto rendimiento para diseños de PSU de minería

El TP65H035G4WS es un FET de nitruro de galio (GaN) de 650 V que ofrece 35 mΩ Rds(on) con una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja y una pérdida de cruce reducida. Combina un MOSFET de silicio de bajo voltaje con un HEMT de GaN de alto voltaje para una fiabilidad compatible con JEDEC. La disposición de los pines GSD está optimizada para diseños de circuitos de alta velocidad, y el Rds(on) dinámico se prueba en producción. Se utiliza en topologías de PSU de minería de próxima generación, incluidas las etapas PFC tótem-pole sin puente.

Por qué los FET de GaN en las PSU de minería

Los transistores de GaN conmutan más rápido y con menos pérdidas que los MOSFET de silicio con clasificaciones de voltaje equivalentes. El Qrr casi nulo del TP65H035G4WS elimina las pérdidas por recuperación inversa que afectan a los dispositivos de silicio en aplicaciones de conmutación brusca y PFC de tótem-pole. Esto permite una mayor densidad de potencia, una eficiencia mejorada y requisitos de refrigeración reducidos, factores críticos para las PSU de minería de próxima generación que buscan una eficiencia de conversión superior al 96 %.

Procedimiento de reemplazo

Desconecte la alimentación principal y descargue todos los condensadores. Localice el FET de GaN en la etapa de PFC o de conmutación primaria. Desolde, limpie las almohadillas, instale el nuevo TP65H035G4WS con la alineación correcta de los pines GSD y vuelva a fundir. Los dispositivos de GaN son sensibles a la ESD: manéjelos con la conexión a tierra adecuada. Alimente a través de un variac bajo carga progresiva y verifique formas de onda de conmutación limpias.

Especificaciones del FET de GaN TP65H035G4WS

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